非公开两人的回答：
因为霍尔元件要实现準确测量的基本要求是磁场能够按既定的方向正确穿过霍尔元件的那个受磁面（不记得名字了，就这样说了，你理解一下），在接通电流的那一极就会存在电子或电荷的偏移，在第三个对面上产生电势差，再通过计算转换得到电磁强度
用霍尔效应测量磁场
罂粟的眼泪的回答：
两种霍尔元件，一种开关型的，一种线性变化的。
在磁场中，电流流过霍尔元件的硅片，侧边会产生一个电压，线性元件的输出电压随外磁场而改变。
溪枫的回答：
（1）、n，p，n，电子，空穴。
（2）、霍尔效应原理：运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力的作用而引起的偏转，导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
水芹翟元洲的回答：
半导体有p型与n型，霍尔元件一般用n型，电子迁移率大于空穴迁移率。
霍尔效应的原理是运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力作用，受力方向垂直于运动方向，载流子会嚮导电方向垂直的部位聚集，导致产生电势差。
督书肖明的回答：
分为p型半导体和n型半导体
uh kh ih b uh为霍尔电压，即由于霍尔效应产生的电压。ih为霍尔电流，即流过元件的电流。kh为比例係数，由元件本身决定。霍尔效应可以测量磁场，通过哪些物理量的测量来对磁 因为霍尔元件要实现準确测量的基本要求是磁场能够按既定的方向正确穿过霍尔元件的那个受磁面 不记得名字了，就这样说了，你理解...
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