台积电声明还称，该公司位于南部科学园区的晶圆厂区测得最大震度为 5 级、中部科学园区厂区最大震度为 4 级、新竹科学园区晶圆厂区（含龙潭及竹南）最大震度为 3 级。

天风证券分析师郭明錤今天（1 月 23 日）发布投资简报，认为奇景光电（Himax）将成为台积电 COUPE 技术中微透镜阵列的独家供应商，有望推动奇景光电未来数年强劲增长。

台积电在一份声明中表示，目前专注于正在进行的全球扩展项目，暂时没有新的投资计划。

台积电今日公布了第三季度财报，第三季度台积电合并营收 7596.9 亿元新台币，同比增长 39.0%，环比增长 12.8%；第三季度净利润 3252.6 亿元新台币，同比增长 54.2%，环比增长 31.2%。

台积电在日首座晶圆厂拥有 1216nm 和 2228nm 产能，第二晶圆厂则将瞄准 67nm 和 40nm。

魏哲家在说明会上还提到，“AI需求是否真实？我的答案是Real。所有的AI创新者都和台积电合作。”

CFET 的概念最早由 IMEC 研究所于 2018 年提出，即在同一区域内垂直堆叠 n 型和 p 型晶体管。根据 IMEC 的路线图，CFET 有望在 A5 工艺节点（预计约 2032 年）实现广泛量产。

台积电首席执行官兼董事长魏哲家在近日的公司财报电话会议上被问及台积电是否有意收购英特尔的晶圆厂，魏哲家以反问的方式称“他们完全没有兴趣收购”。外媒 Tomshardware 认为，尽管台积电资金充裕，但收购英特尔晶圆厂需要耗费巨额资金成本，

台积电 ADR 昨日（10 月 17 日）收盘 205.84 美元，较前一交易日上涨了 18.36 美元，涨幅达 9.79%，盘中更是创造 1997 年 10 月在美国挂牌以来最高价 212.60 美元。

科技媒体 The Information 最新博文报道称，三星电子可能将重新获得英伟达的订单，制造未来的新款游戏芯片（GPU），这一消息为三星带来了更积极的市场前景。

人工智能芯片的需求正呈现蓬勃增长之势。然而，对于半导体设备制造商而言，这一需求增长并不总能转化为显著利润。

韩媒 Maeil Business Newspaper 昨日（10 月 21 日）发布博文，报道称英特尔已寻求三星电子建立“代工联盟”，共同制衡台积电。

彭博社昨日（10 月 24 日）发布博文，报道称台积电位于美国亚利桑那州的首个晶圆厂早期生产阶段在良率上取得重大突破，相比较台积电其它工厂高出 4 个百分点。

在昨日举办的 2024 年台积电运动会上，依循往年惯例，台积电发出特别奖金大红包，董事长魏哲家宣布，金额从去年的 1.6 万元新台币加码至 2 万元新台币（IT之家备注：当前约 4442 元人民币）。若以台积电目前台湾地区基层员工人数约 6

从已有信息来看，该芯片应由台积电制作。世芯此前已为亚马逊 AWS、英特尔等提供设计辅助服务。

目前，台积电位于高雄楠梓园区的建厂工程如火如荼赶工中，P1 厂工程进入尾声，办公大楼与第二座厂（P2）结构体已成形，第三座厂（P3）本月动工。

Digitimes 今年 9 月还曾报道称，台积电首部 High NA EUV 设备的购入价格远低于原定的 3.5 亿欧元（IT之家备注：当前约 27.1 亿元人民币）报价。

台积电创始人张忠谋的自传下册将于 11 月 29 日发售，根据获得授权的出版社披露的部分内容显示，张忠谋曾询问过英伟达创始人黄仁勋是否有兴趣出任台积电首席执行官（CEO）一职。

这些资金还将用于厂房兴建及厂务设施工程、2025 年研发资本预算与经常性资本预算、2025 年资本化租赁资产。

美国商务部于 11 月 15 日宣布，已最终确定向台积电（TSMC）在亚利桑那州凤凰城的子公司提供 66 亿美元的政府补助，用于生产半导体芯片。

台积电位于美国亚利桑那州的新晶圆厂预计于 2025 年第一季度开始量产，而台积电美国子公司总裁Rick Cassidy称其良率可媲美台积电南科厂区的水准，甚至类似制程高出4个百分点。

MoneyDJ 昨日（11 月 21 日）发布博文，报道称台积电已通知海外设备供应商，暂时搁置明年的设备需求及安装计划，待后续情况再做评估。

世界最大的晶圆代工厂台积电（TSMC）本周在欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，电子设计自动化（EDA）工具和第三方 IP 模块已为台积电性能增强型的 N2P 和 N2X 制程技术（2 纳米级）做好准备。这意味着各种芯片设计厂商现在可以基

这是台积电在高雄首座 12 英寸晶圆厂，比预期早了大半年进机，预计将于 2025 年量产。高雄厂量产后，将与新竹宝山 2nm 厂南北大实现串联，生产全球最先进的半导体芯片。

科技媒体 technews 今天（11 月 29 日）发布博文，报道称台积电递交美国商务部的资料显示，其美国工厂最快 2028 年启动 2nm 工艺量产。

博主 @数码闲聊站 今日发文称：台积电 2nm 量产排期 2025H2，明年主流工艺是 N3P，包括高通下一代 SM8850（预计命名第二代骁龙 8 至尊版）。

台积电董事长刘德音对 2nm 需求旺盛表示惊讶，称“做梦也没有想到”，公司正积极准备生产设施，以满足客户需求。

台积电和英伟达均拒绝置评。

据外媒 phonearena 透露，台积电计划明年开始量产 2 纳米芯片，目前该公司已在位于新竹的台积电工厂进行试产，结果显示其 2nm 制程的良率已达到 60% 以上。这一数据还有较大提升空间，外媒称，通常相应芯片良率需要达到 70% 或

罗姆此前已在 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT 工艺推出了 EcoGaN 系列新半导体产品。