描述： CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。特征： 快速切换 ESD 改进能力 低栅极电荷（典型数据：14.…

金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“MOS管有效沟道长度测试方法及装置”的专利，公开号 CN 119297099 A，申请日期为 20…