描述：
CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
特征：
快速切换
ESD 改进能力
低栅极电荷（典型数据：14.5nC）
低反向传输电容（典型值：7.5pF）
100% 单脉冲雪崩能量测试
应用：
适配器和充电器的电源开关电路
详情请咨询我司业务15986786916
