描述： CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。特征： 快速切换 ESD 改进能力 低栅极电荷（典型数据：14.…