根据 TrendForce 最新调查报告，2024 年第三季度之前，消费型产品终端需求依然疲软，主要需求靠 AI 服务器支撑。

TrendForce 今日发布最新研报，称 DRAM 产业经过了 2024 年前三季度的去库存化和价格回升，预计第四季度的涨价势头将有所减弱。

P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。

此次合作将结合南亚科技的 10nm 级 DRAM 技术和补丁科技在定制内存产品方面的设计能力。

TrendForce 集邦咨询昨日（12 月 31 日）发布博文，预测 2025 年第 1 季度 NAND Flash 合约价环比下降 10~15%；DRAM 合约价下降 8~13%。

美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在刚刚举行的电话会议上表示：“采用极紫外光刻技术的 1γ DRAM 试产进展顺利，我们正按计划于 2025 年实现量产。”

HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。

0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大原厂最先进的工艺是 1b nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。

三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。平泽 P4 生产的 DRAM 有望用于 HBM4。

DRAM 内存产业 2024 年第二季合约价维持上涨姿态，具体涨幅落在 13%~18% 区间。

奇梦达曾一度成为全球第二大 DRAM 供应商，但因多方面原因于2009年申请破产。

今年整体消费者需求偏低，AI PC带来的换机潮尚未发酵，导致存储模组行业企业面临现金流压力。

三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。

OCTRAM 为一种采用 IGZO 晶体管的 4F2 VCT DRAM，较以往产品漏电流更低，能效更为优秀。

三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。

三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。

2025Q1 进入 DRAM 市场淡季，在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下各类别内存价格均将下滑。

1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。