铠侠大股东贝恩资本对该企业的估值约为 1.5 万亿日元，目前 NAND 闪存价格上涨陷入停滞。

SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。

韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。

美光在 NAND 领域正采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量，以维持供应纪律。

TrendForce 集邦咨询昨日（12 月 31 日）发布博文，预测 2025 年第 1 季度 NAND Flash 合约价环比下降 10~15%；DRAM 合约价下降 8~13%。

这似乎是保护盈利能力的一项措施，因为随着全球 NAND 持续供过于求，预计今年价格将暴跌。考虑到 SK 海力士正在增加 NAND 供应规模，三星电子似乎已经决定，无法以当前的 NAND 工艺维持过去压倒性的生产力。

下半年几大原厂积极增产，消费电子领域需求持续不振，导致三季度 NAND 供过于求更为明显。

根据韩媒 The Elec 报道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

这款全新的闪存芯片完全达到工业级要求拥有10万次PE周期的擦写耐久。

铠侠（Kioxia）公司今天发布新闻稿，2Tb Quad-Level-Cell（QLC）存储样品已经开始出货。

HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。

该工厂于 2022 年开始建设，原定于 2023 年完工，受到 NAND 行业低谷期影响，建设进度推迟。

目前接口速率最快的已量产 NAND 闪存是美光的 276 层 G9 TLC，可达 3600MTs；JESD230G 为未来的性能扩展打下了规范侧的地基。

三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。

今年三季度 NAND 闪存行业已出现 2% 出货存储容量下降，而 2024Q4 的订单和单价情况将更为恶劣，可能导致整体营收下滑近 10%。