混合键合可容纳较多堆叠层数与较大晶粒厚度，还能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异。

三星正与客户就改进版 HBM3E 的供应进行谈判，预计将于明年上半年实现量产。三星电子第三季度 HBM 内存总销售额环比增长超 70%，HBM3E 已占到整体一成。

三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入半导体后端加工设备。

该工厂将从 2027 年开始大幅提升美光的先进封装总产能，以满足 AI 芯片行业不断增长的 HBM 内存需求。

三星电子最近收到了来自英伟达的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责 HBM 和内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。

HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。

美光考虑买下友达位于台南科技工业区的两座彩色滤光片厂，利用现有无尘室快速改建为半导体厂。

无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。

助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，提升键合强度与质量，但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。

据悉三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求并非因键合工艺不同导致。

SK 海力士在 10 月份的第三季度电话会议上表示，预计 HBM 将在第四季度占其 DRAM 业务营收的 40% 份额。随着 SK 海力士与博通达成协议，预计这一比例将进一步上升。