新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET

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描述:

NCE0224AK采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可以广泛应用于各种场合。

特征:

VDS =200V,ID =24A

RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:62mΩ)

高密度单元设计,实现超低导通电阻

完全表征的雪崩电压和电流

具有高电场开启特性的良好稳定性和均匀性

优秀的封装以实现良好的散热

特殊工艺技术,具备高静电放电能力

应用:

电源切换应用

硬开关和高频电路

不间断电源

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